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影响等离子去胶机使用的因素有哪些?

更新时间:2023-02-16浏览:498次

  等离子去胶机适用于硅基半导体及化合物半导体前后道的等离子体去胶设备,可用于光刻胶灰化/残胶去除和表面处理,设计紧凑占地面积小,设备稳定可靠、易于维护、产能高。
 
  等离子去胶机使用的影响因素:
 
  (1)调整合适的频率:频率越高,氧气越容易电离形成等离子体。如果频率太高,使得电子的振幅比其平均自由程短,则电子与气体分子碰撞的概率会降低,电离率也会降低。常用频率为13.56MHz和2.45GHz。
 
  (2)调整合适的功率:对于一定量的气体,功率大,等离子体中活性颗粒的密度也大,脱胶速度也快;然而,当功率增加到一定值时,反应所消耗的活性离子将达到饱和,如果功率更大,脱胶速度将不会显著提高。由于功率大,基板温度高,应根据技术要求调整功率。
 
  (3)调整适当的真空度:适当的真空程度可以使电子运动的平均自由程更大,因此从电场获得的能量更大,这有利于电离。此外,当氧气流量必须恒定时,真空度越高,氧气的相对份额越大,活性颗粒的浓度越大。然而,如果真空过高,活性颗粒的浓度将降低。
 
  (4)氧气流量调节:氧气流量大,活性颗粒密度高,脱胶速度加快;然而,如果流速过大,离子的复合概率会增加,电子运动的平均自由程会缩短,电离强度会降低。如果反应室的压力保持不变且流速增加,则也会添加提取气体的量,并且也会添加未参与反应的活性颗粒的量,因此流量添加对脱胶速率的影响不会显著。

 

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