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Bruker 椭偏仪 FilmTek 2000M TSV

简要描述:Bruker 椭偏仪 FilmTek 2000M TSV
FilmTek™ 2000M TSV计量系统为先进的半导体封装应用提供了速度和精度组合。该系统为各种封装工艺和相关结构的高通量测量提供了测量性能和精度,包括表征抗蚀剂厚度、硅通孔(TSV)、铜柱、凸块和再分布层(RDL)。

  • 所在城市:上海市
  • 厂商性质:经销商
  • 更新日期:2022-08-15
  • 访  问  量:185
详细介绍
品牌其他品牌产地类别进口
膜厚测量准确度<0.2%nm测量速度2min
应用领域石油,电子,综合

Bruker 椭偏仪 FilmTek 2000M TSV

——用于半导体封装应用中高通量测量的先进计量系统

 

FilmTek™ 2000M TSV计量系统为先进的半导体封装应用提供了速度和精度组合。该系统为各种封装工艺和相关结构的高通量测量提供了测量性能和精度,包括表征抗蚀剂厚度、硅通孔(TSV)、铜柱、凸块和再分布层(RDL)。


高产量TSV制造需要快速、高精度测量TSV蚀刻深度和深度均匀性。FilmTek 2000M TSV系统采用了我们光学方法,基于正入射反射法,使用户能够高效、准确地测量高深宽比TSV结构的蚀刻深度。该系统可以容易地确定直径大于1µm的通孔结构的蚀刻深度,最大蚀刻深度可达500µm。


此外,我们低功率物镜光学设计使FilmTek 2000M TSV能够实现非常小的光点尺寸-与目标通孔结构的直径相同数量级-具有几乎准直的测量光束。例如,该系统可以配置为,10倍物镜在y和x维度上的测量点尺寸分别为5µm乘10µm。这种光学设计限制了收集光的角光谱,并最大限度地提高了高纵横比TSV或沟槽结构的光谱反射的相干性。因此,与使用高功率物镜的计量仪器相比,该系统可以提供更清晰的数据。


其他功能包括测量微泵、沟槽和各种其他结构和应用的高度或深度、临界尺寸和膜厚度。

 

测量能力

允许确定:
·直径大于1µm的通孔结构的TSV蚀刻深度,最大蚀刻深度为500µm。
·高度或深度
·临界尺寸
·膜厚

 

系统组件


标准:
·高纵横比TSV结构的测量
·测量敢达500µm的TSV蚀刻深度
·测量直径小于1µm的TSV结构
·FilmTek技术
·快速测量时间(每点约1秒)
·单一工具中的TSV蚀刻深度、凸块高度、临界尺寸和膜厚计量
·盒式到盒式晶片处理
·Brooks或SCI自动化
·300mm,FOUP和SMIF兼容
·SECS/GEM

 

典型应用领域包括:


·TSV计量
·先进半导体封装
·具有灵活的软件,可以轻松修改以满足研发和生产环境中的客户需求。

 

Bruker 椭偏仪 FilmTek 2000M TSV技术规格

测量函数TSV蚀刻深度、凸块高度、临界尺寸和膜厚度    
晶片处理Brooks or Bruker
基板尺寸200 or 300 mm
模式识别Cognex
CD精度(1σ)<0.2%
蚀刻深度精度(1σ)<0.005%
膜厚范围5 nm to 350 µm (5 nm to 150 µm is standard)
膜厚精度(1σ)<0.005%
光源卤素灯
探测器类型2048 pixel Sony linear CCD array
ComputerMulti-core processor with Windows™ 10 Operating System
晶圆吞吐量>60 WPH

 

FilmTek 2000M TSV和SEM对通孔蚀刻深度的比较

通孔直径   (µm)      

            蚀刻深度  (µm)       

扫描电镜

蚀刻深度 (μm) 

             FilmTek 2000M TSV            

544.544.3
1055.555.5
1562.061.8
2066.566.8


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